【ニューヨーク共同】米ＩＴ大手ＩＢＭは２５日、回路線幅が１ナノメートル（ナノは１０億分の１）未満の世代に相当する次世代半導体技術を開発したと発表した。０・７ナノメートル世代に相当する技術で、１ナノ未満の半導体技術の発表は「世界初」という。生成人工知能（ＡＩ）の処理性能向上や省電力化につながると期待され、早ければ５年以内の実用化を見込む。
爪ほどの大きさのチップに約１千億個のトランジスタを搭載した。２０２１年に発表した２ナノ半導体と比べ、集積度は約２倍となり、性能は最大５０％向上、電力効率は最大７０％改善できる見通しという。
新たに「ナノスタック」と呼ばれる３次元構造を採用した。垂直に積み重ねたトランジスタを水平方向にずらして配置することで、高密度化を実現したという。
半導体は、集積度が約２年ごとに倍増するという「ムーアの法則」に沿って微細化が進み、性能を高めてきたが、近年は物理的限界が指摘されている。ＩＢＭは今回の技術により、今後少なくとも１０年間は微細化を継続できるとの見通しを示した。
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