ファーウェイ1・4ナノ水準計画

華為技術(ファーウェイ)のロゴ=2025年6月、パリ(ロイター=共同)

 【上海共同】中国通信機器大手、華為技術(ファーウェイ)は8日までに、独自の新技術を活用し2031年までに回路線幅1・4ナノメートル(ナノは10億分の1)相当と同水準の半導体を設計する計画を明らかにした。ファーウェイは米国の半導体輸出規制の影響で、先端半導体の調達が制限されてきたが、同水準の性能の半導体を中国国内で製造することを目指す。

 ファーウェイは19年、米政府の禁輸リストに指定され先端半導体が入手困難になった。第5世代(5G)移動通信システム対応のスマートフォンや、人工知能(AI)に使われる先端半導体が手に入らず不利な状態が続いてきた。

 また、中国ではオランダ企業の最先端の製造装置を調達できずに半導体の性能向上が遅れてきた。ファーウェイは巨費を投じ、別のコスト高な方法で研究開発を進め、23年には5G対応の国産半導体を搭載したスマホ発売にこぎ着けたものの、性能は劣るとされ苦境が続いている。

 半導体はこれまで、主に回路線幅を小さくする「微細化」で性能を高めてきた。

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